光學平臺產品及廠家
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統，感應耦合等離子刻蝕機臺，低損傷納米結構刻蝕，高速率刻蝕，內置icp等離子源，動態溫控。
更新時間:2025-06-09
ure-2000系列紫外單面光刻機，主要型號有：ure-2000a，ure-2000b，ure-20000/35,ure-20000/35a，ure-2000/25,ure-2000/17.由中國科學院制造生產。
更新時間:2025-06-09
ure-2000/35 型紫外單面光刻機，中科院設計生產，曝光面積：4 英寸 ，非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學科研 （可靠性好，演示方便） 。
更新時間:2025-06-09
芬蘭 picosun r-200標準型ald,為液體、氣體和固體化學物提供的更高級的，易更換的前驅源系統，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的picosun™ r系列配置中可以選擇多個獨立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅源。
更新時間:2025-06-09
德國 picosun p-1000 pro ald 生產型原子層沉積機,156 mm x 156 mm硅片800～1000片/批次（雙面/背對背）,高達400 mm x 600 mm玻璃基板30～50片/批次（雙面/背對背）,(w x h x d) 230 cm x 270 cm x 125 cm,標準設備驗收標準為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-06-09
picosun p-300 advanced ald 高級型原子層沉積機.156 mm x 156 mm硅片50～100片/批次（雙面/背對背），高達300 mm x 300 mm玻璃基板10～20片/批次（雙面/背對背）；roll-to-roll, 襯底最大寬 300 mm。全自動轉載，用工業機器人實現,標準設備驗收標準為 al2o3 工藝 .
更新時間:2025-06-09
picosun p-300b advanced ald 高級原子沉積機,基片尺寸和類型 300mm晶圓10片/批次（標準間距）,200mm晶圓25+2片/批次（標準間距）,(w x h x d) 149 cm x 191 cm x 111 cm,標準設備驗收標準為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-06-09
p-300s 生產線型原子層沉積機,最大300mm晶圓/單片,25片晶圓盒對盒式全自動裝載（cassette-to-cassette），用picoplatform™ 300集群系統實現,尺寸：(w x h x d) 160 cm x 80 cm x 240 cm
更新時間:2025-06-09
p-300f,p-300bv 生產型原子層沉積機，p-300f pro: 27片晶圓盒對盒式全自動裝載（cassette-to-cassette），用picoplatform™200集群系統實現。p-300bv pro: 52片晶圓盒對盒式全自動裝載，用真空批量load lock實現。
更新時間:2025-06-09
picosun p-200s pro ald 生產型原子層沉積機 ，襯底尺寸和類型： 。50 – 200 mm /單片 。156 mm x 156 mm 太陽能硅片 。150 mm x 150 mm 顯示面板
更新時間:2025-06-09
芬蘭picosun™ r-200高級型 ald，襯底尺寸和類型 ： 。50-200 mm /單片 。156 mm x 156 mm太陽能硅片 。3d復雜表面襯底 。粉末與顆粒 。roll-to-roll , 襯底最大寬 70 mm 。多孔，通孔，高深寬比（har）樣品
更新時間:2025-06-09
picosun™ r-200標準型原子層沉積機，picosun™ r系列設備提供高質量ald薄膜的沉積技術，并在各種各樣的襯底上都表現極佳的均勻性，包括最具挑戰性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。 我們為液體、氣體和固體化學物提供的更高級的，易更換的前驅源系統，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。
更新時間:2025-06-09
plasmapro 80 rie 牛津等離子體刻蝕機,是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高質量的工藝。
更新時間:2025-06-09
plasmapro 80 rie 牛津等離子體刻蝕機,是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高質量的工藝。
更新時間:2025-06-09
plasmapro 80 icpcvd 牛津icp等離子沉積機，是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高性能工藝。
更新時間:2025-06-09
牛津oxford system 100 等離子刻蝕與沉積設備,該設備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設備,具有工藝靈活性，適用于化合物半導體，光電子學，光子學，微機電系統和微流體技術.
更新時間:2025-06-09
plasmapro 80 icp 英國牛津oxford 等離子體刻蝕機,是一種結構緊湊、小型且使用方便的直開式系統，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質量。直開式設計允許快速的進行晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和少量生產的理想選擇。 該設備通過優化了的電冷卻技術和出色的襯底溫度控制來實現高度穩定的工藝結果。
更新時間:2025-06-09
牛津opal開放式樣品載入ald設備，緊湊型開放式樣品載入原子層沉積（ald）系統，opal提供了業的熱ald設備，可以簡單明了的升使用等離子體，使得在同一緊湊設備中集成了等離子體和熱ald。
更新時間:2025-06-09
plasmapro 100 estrelas牛津深硅刻蝕系統，旨在提供深硅蝕刻（dsie）域的全方位的靈活性以滿足微電子機械系統（mems）、 先進封裝以及納米技術市場的各種工藝要求。考慮到研究和生產的市場發展，plasmapro 100 estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。
更新時間:2025-06-09
plasmapro 100 ale 牛津原子層刻蝕機，市場應用廣，包括但不限于： mems和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術。它具有足夠的靈活性，可用于研究和開發，通過打造質量滿足生產需求。
更新時間:2025-06-09
英國hhv auto500 gb 適合手套箱集成的真空鍍膜系統，是門設計用于手套箱集成使用的鍍膜設備，滿足氧氣或水汽敏感的材料鍍膜的應用要求。該系統配了一個特殊結構的真空腔室，可直接與市場上大多數手套箱集成到一起。真空腔室的門可豎直滑動開關，嵌入手套箱內，并占用很少的手套箱空間；其后門是鉸鏈扇式開關，能在不影響手套箱內氣氛的情況下輕松維護腔室內工藝組件。
更新時間:2025-06-09
英國hhv auto 306 科研工作者和電子顯微學家的多功能鍍膜設備，是一種多功能的緊湊型鍍膜設備，設計用于滿足科研工作者和電子顯微學家的需求。auto306可配備各種真空系統、真空腔室和標準化工藝附件，提供一系列實驗技術以滿足現代化實驗室的需要。
更新時間:2025-06-09
tf500/tf600 適合先進研發和試生產的全功能系統，系統配置可選擇多種腔室尺寸和工藝附件，以精確的符合用戶需求。這兩個型號的系統都可以安裝多個鍍膜源，也都支持離子束處理選項。有一系列預進樣室（load lock）和樣品操縱裝置可供選擇，以提高真空鍍膜效率。
更新時間:2025-06-09
ion 100wb-40q 德國 pva tepla 等離子去膠機，最新推出的具有高性價比的真空等離子去膠設備，配備了一個圓筒石英腔，特別適用于半導體、led、mems等領域的光刻膠灰化、打殘膠、氮化物刻蝕、表面清潔等應用的批次處理。
更新時間:2025-06-09
208hr高分辨離子濺射儀-適用于場發射掃描電鏡，可選擇多種鍍膜材料，精確的膜厚控制，樣品臺控制靈活，多個樣品座，樣品室幾何可變，寬范圍的操作壓力，緊湊、現代的桌上型設計，操作容易。
更新時間:2025-06-09
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統，該系統同時使用8只換能器，能最大限度的確保快速圖像采集和高效能。
更新時間:2025-06-09
日本jeol熱場發射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發揮其佳性能。
更新時間:2025-06-09
日本jeol熱場發射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發揮其佳性能。
更新時間:2025-06-09
日本jeol能譜儀jed-2300/2300f analysis station是以“圖像觀察和分析“ 為基本理念的tem/eds集成系統。通過與sem的馬達驅動樣品臺聯動使用，可以進行大范圍的觀察和分析。 eds通過檢測被電子束激發出的樣品特征x射線，確定樣品含有的元素及成分比，可以進行微區的點分析、線分析及面分析。
更新時間:2025-06-09
日本jeol掃描電子顯微鏡 jsm-it500，是jeol intouchscope系列的新機型。 從設定視野到生成報告，用于分析的軟件整合于一體，加快了作業速度！是一款無縫操作，使用更加方便的掃描電子顯微鏡。
更新時間:2025-06-09
日本jeol 熱場發射掃描電子顯微鏡 jsm-7200f，jsm-7200f的電子光學系統應用了日本電子旗艦機-jsm-7800f prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術，標配了ttls系統（through-the-lens system），因此無論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統機型有了很大的提升。
更新時間:2025-06-09
新一代超高精度電子束光刻機 p21，樣品尺寸覆蓋 2/4/6 英寸晶圓，超高寫場拼接精度，電子束閉環控制系統，束流的時間及空間穩定性高，高性能 30 kv 電子束光刻機。
更新時間:2025-06-09
opticool超精準全開放強磁場低溫光學研究平臺，系統擁有3.8英寸超大樣品腔、雙錐型劈裂磁體，可在超大空間為您提供高達±7t的磁場。多達7個側面窗口、1個頂部超大窗口方便光線由各個方向引入樣品腔，高度集成式的設計讓您的樣品在擁有低溫磁場的同時擺脫大型低溫系統的各種束縛。
更新時間:2025-06-09
attoafm/attomfm/attoshpm 低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡，采用模塊化的設計。利用標配的控制器和樣品掃描臺，用戶僅需要更換掃描頭和對應的光學部件即可實現不同功能之間的切換。
更新時間:2025-06-09
系統中集成了高精度的激光干涉工作臺，運動行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實現精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時間:2025-06-09
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機 fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導體，tft-lcd，微電子等行業。
更新時間:2025-06-09
英國nanobean nb5 電子束光刻機,具有良好的穩定性，平均正常運行時間超過93%.
更新時間:2025-06-09
minilock-phantom iii 具有預真空室的反應離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產環境提供最先進的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
更新時間:2025-06-09
oracle iii由中央真空傳輸系統(cvt)、真空盒升降機和最多四個工藝反應室構成。這些工藝反應室與中央負載鎖對接，既能夠以生產模式運行，也能夠作為單個系統獨立作業。 oracle iii是市場上最靈活的系統，既可以為實驗室環境進行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。
更新時間:2025-06-09
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