其他產(chǎn)品及廠家
布瑞得bathrive gx10儀器特別適用于需要無(wú)線實(shí)時(shí)傳輸數(shù)據(jù)的場(chǎng)景，屬于bathrive? 品牌第6代產(chǎn)品，在滿足低功耗的情況下實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)無(wú)線傳輸，讓實(shí)時(shí)獲得溫度數(shù)據(jù)成為現(xiàn)實(shí)，無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸距離超過(guò)2km(無(wú)障礙)
更新時(shí)間:2025-06-09
bathrive? gx10b儀器特別適用于需要無(wú)線實(shí)時(shí)傳輸數(shù)據(jù)的場(chǎng)景，屬于bathrive? 品牌第6代產(chǎn)品，在滿足低功耗的情況下實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)無(wú)線傳輸，讓實(shí)時(shí)獲得溫度數(shù)據(jù)成為現(xiàn)實(shí)，無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸距離超過(guò)2km(無(wú)障礙)
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lim 系列爐溫測(cè)試儀一款革命性的測(cè)試儀器。現(xiàn)在軟件更新為profiling software。同時(shí)在原有基礎(chǔ)上增加更多的工藝曲線應(yīng)用項(xiàng)目，給予使用者帶來(lái)更為輕松的工作需求。
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產(chǎn)品用途：用來(lái)對(duì)各種加熱或制冷設(shè)備進(jìn)行溫度測(cè)量.長(zhǎng)時(shí)間溫度監(jiān)控.溫度曲線測(cè)繪及溫度數(shù)據(jù)分析等適用范圍：smt電子生產(chǎn)制造.冶金.熱處理.烤漆涂裝.釬焊.ir.隧道爐等所有需要進(jìn)行溫度監(jiān)控或測(cè)量的行業(yè)
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kic explorer爐溫測(cè)試儀產(chǎn)品介紹加工定制：是品牌：kic型號(hào)：explorer 7ch測(cè)量范圍：內(nèi)部操作溫度0-85（℃）測(cè)溫分辨率：0.1℃測(cè)溫精度：+/-1.2℃外形尺寸：200.0×60.0×17.0（mm）裝箱數(shù)：1
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kic2000爐溫測(cè)試儀產(chǎn)品介紹加工定制：是品牌：美國(guó)kic型號(hào)：kic2000測(cè)量范圍：-50-1050（℃）測(cè)溫分辨率：0.1℃外形尺寸：320*86*26（mm）裝箱數(shù)：1
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原裝進(jìn)口產(chǎn)品，觸摸屏操作簡(jiǎn)單。由普通電池供電，方便操作現(xiàn)場(chǎng)更換，功能強(qiáng)大，可以測(cè)量電能質(zhì)量、連續(xù)性、絕緣電阻、線路/回路阻抗、接地電阻與土壤電阻率、rcd跳閘時(shí)間和電流，無(wú)跳閘時(shí)的接地回路阻抗、接觸電壓ut、相序、泄露電流、環(huán)境參數(shù)等
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梅特勒電極ha405-dpa-sc-s8/120（有問(wèn)題，產(chǎn)品上留有碎渣） 硬件開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室 儀器租賃
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emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí)，焊盤(pán)部分要增加敷銅禁布框，避免銅皮分布不均影響散熱，導(dǎo)致貼片虛焊。
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emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式，發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚(yú)夾地線，而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上，整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開(kāi)關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲，于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
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emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
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emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問(wèn)題。我們通過(guò)使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
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emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上，示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗；電纜的另頭剝開(kāi)，屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上，中心導(dǎo)體通過(guò)個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本，低衰減比，缺點(diǎn)是致性不好，隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
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相關(guān)產(chǎn)品：emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō)，emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
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emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller，包括了協(xié)議、擦寫(xiě)均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
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emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface（cmd，data，clk）、memory core interface、總線接口控制（card interface controller）、電源控制、寄存器組。
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emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過(guò)發(fā)cmd的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問(wèn)。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
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emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state，發(fā)送完 cid 后，emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
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相關(guān)產(chǎn)品：電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
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相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host，頻率與 clk 信號(hào)相同，用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用，啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性，省去總線 tuning 過(guò)程。
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相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
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電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
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數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開(kāi)始接收 response。
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數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開(kāi)始接收 response。
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clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試，眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值，不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
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數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下，data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù)，其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) （byte 1,3,5...），下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)（byte 2,4,6 ...）。
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復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí)，host 可以發(fā)送 cmd19 命令，觸發(fā)總線測(cè)試過(guò)程（bus testing procedure），測(cè)試總線硬件上的連通性。
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遇到的問(wèn)題pcie link不穩(wěn)定配置空間讀寫(xiě)正常，memory mapping空間讀寫(xiě)異常
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cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線與pci總線不同，pcie總線使用端到端的連接方式，在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備，這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成，目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路，還有幾乎不使用的×12鏈路。
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pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類(lèi)似之處，但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生，然后再經(jīng)過(guò)該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer)，終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2025-06-09
pcie2.0 3.0 rx 接收 物理層致性測(cè)試當(dāng)pcie設(shè)備進(jìn)入休眠狀態(tài)，主電源已經(jīng)停止供電時(shí)，pcie設(shè)備使用該信號(hào)向處理器系統(tǒng)提交喚醒請(qǐng)求，使處理器系統(tǒng)重新為該pcie設(shè)備提供主電源vcc。
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pcie 初始化完成后會(huì)進(jìn)入l0狀態(tài)。異常狀態(tài)見(jiàn)pcie link 異常log。物理層link 不穩(wěn)定，懷疑以下原因：- 高速串行信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題- serdes電源問(wèn)題- 時(shí)鐘問(wèn)題
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pcie2.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試集成電路的發(fā)明是人類(lèi)歷史上的大創(chuàng)舉，它大地推動(dòng)了人類(lèi)的現(xiàn)代文明進(jìn)程，在天無(wú)時(shí)無(wú)刻不在影響著我們的生活。進(jìn)入 21 世紀(jì)以來(lái)，集成電路的發(fā)展則更是狂飆猛進(jìn)。天的大規(guī)模集成電路生產(chǎn)和制造工藝已經(jīng)達(dá)到 10 nm 量產(chǎn)水平，更高的集成度意味著同等體積下提供了更高的性能，當(dāng)然對(duì)業(yè)內(nèi)從業(yè)者來(lái)說(shuō)遇到的挑戰(zhàn)和問(wèn)題也就越來(lái)越嚴(yán)峻。
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pcie2.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試在個(gè)處理器系統(tǒng)中，般提供×16的pcie插槽，并使用petp0~15、petn0~15和perp0~15、pern0~15共64根信號(hào)線組成32對(duì)差分信號(hào)，其中16對(duì)petxx信號(hào)用于發(fā)送鏈路，另外16對(duì)perxx信號(hào)用于接收鏈路。除此之外pcie總線還使用了下列輔助信號(hào)。
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pcie1.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試日益降低的信號(hào)幅度必將帶來(lái)信噪比(snr)的挑戰(zhàn)，也即隨著信號(hào)幅度越來(lái)越低，對(duì)整個(gè) 電路系統(tǒng)的噪聲要求也越來(lái)越嚴(yán)格。尤其是在近 3 年來(lái)越來(lái)越熱的pam 調(diào)制，比如廣泛用于 200g/400g 傳輸?shù)?pam-4 技術(shù)，由于采用 4 電平調(diào)制，其對(duì)信噪比的要求比采用nrz 編碼的信噪比要高 9db.
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pcie1.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試ci總線定義了兩類(lèi)配置請(qǐng)求，個(gè)是type00h配置請(qǐng)求，另個(gè)是type 01h配置請(qǐng)求。
更新時(shí)間:2025-06-09
pcie1.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試電子產(chǎn)品發(fā)展到當(dāng)?shù)臅r(shí)代，工程界已經(jīng)積累了很多實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，再搭上互聯(lián)網(wǎng)大力 發(fā)展的快車(chē)，每位工程師都可以很輕松地從其他人的工程經(jīng)驗(yàn)分享中獲得很多有價(jià)值和 有助于自己設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)，但是經(jīng)驗(yàn)并不是金科玉律，也不是都適合工程師特殊的設(shè)計(jì)需求。
更新時(shí)間:2025-06-09
pcie3.0x4 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試下面是個(gè) ddr3 設(shè)計(jì)的實(shí)際案例。按照傳統(tǒng)的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，工程師會(huì)按照主芯片給的設(shè)計(jì)規(guī)范進(jìn)行設(shè)計(jì)。結(jié)合項(xiàng)目工程的需要，其 ddr3 的采用的是 t 型的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， ecc 放置在如下圖 5 圓圈中所示位置。在生產(chǎn)完成后的調(diào)試過(guò)程中，發(fā)現(xiàn) ddr3 的信號(hào)出現(xiàn)非單調(diào)性。
更新時(shí)間:2025-06-09
pcie3.0x8 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試deviceid和vendor id寄存器這兩個(gè)寄存器的值由pcisig分配，只讀。其中vendor id代表pci設(shè)備的生產(chǎn)廠商，而device id代表這個(gè)廠商所生產(chǎn)的具體設(shè)備。如xilinx公司的k7，其vendor id為0x10ee，而device id為0x7028。
更新時(shí)間:2025-06-09
pcie3.0x16 眼圖測(cè)試 物理層致性測(cè)試獲得的信號(hào)波形沒(méi)有出現(xiàn)非單調(diào)的情況。按照以上設(shè)計(jì)改板后的測(cè)試結(jié)果與仿真 致。 如果不進(jìn)行仿真，那么只能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行測(cè)試才能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，如果要改善， 只能再改板調(diào)整，還可能出現(xiàn)改板很多次的情況，這樣就會(huì)延遲產(chǎn)品上市時(shí)間并增加物料成本。
更新時(shí)間:2025-06-09
陰極保護(hù)監(jiān)測(cè)儀sd-21用于測(cè)量陰極電位溢出，從而預(yù)防埋地燃?xì)夤艿赖母g。輸入阻抗為100 mω，在某些地形（比如花崗巖）上輸入阻抗可以被精確無(wú)誤的測(cè)量出來(lái)。是世界上首款同時(shí)設(shè)備電壓、電流、接地電阻、頻率的設(shè)備。
更新時(shí)間:2025-06-09
magnelab電流互感器（ct）提供準(zhǔn)確，無(wú)損（非接觸）的單或重復(fù)單或雙的測(cè)量 脈沖或連續(xù)波。
更新時(shí)間:2025-06-09
低頻脈沖注入型號(hào)為 f-120-1, f-120-4, f-120-4a, f-120-6 和 f-120-6a 的注入探頭可用于脈沖注入源及敏感度監(jiān)測(cè)探頭，這些探頭能感應(yīng)耦合上升時(shí)間為 5ns 及半個(gè)脈沖寬度為 100μs 的瞬態(tài)信號(hào)，當(dāng)用于監(jiān)測(cè)探頭時(shí)可用頻率范圍：10 khz to 200 mhz，轉(zhuǎn)移阻抗+20 db k2 從 200 khz 到150 mhz。
更新時(shí)間:2025-06-09
特別高效的電流鉗（耦合系數(shù)小于7db），產(chǎn)生10v電平僅需20瓦功放，比傳統(tǒng)電流鉗可節(jié)省4-16倍的放大器功率，內(nèi)徑40mm，完全符合iec61000-4-6（gb/t 17626.6）的要求。
更新時(shí)間:2025-06-09
pem 低頻羅氏線圈-lfr系列是理想的電低頻流測(cè)試產(chǎn)品。且具有尺寸小巧、低相位誤差，超寬的頻帶范圍，使其可以測(cè)量被測(cè)信號(hào)的400次諧波（@45/65hz）。 低頻羅氏線圈--lfr對(duì)電流幅度的響應(yīng)曲線，有著高的線性度。配備有10:1的電流開(kāi)關(guān)檔，使其有著更寬的動(dòng)態(tài)測(cè)試范圍.
更新時(shí)間:2025-06-09
rcti是工業(yè)級(jí)專用永久安裝的交流電流探頭。傳感器線圈纖細(xì)、輕巧、柔性。從感應(yīng)線圈輸出實(shí)時(shí)的與測(cè)量電流相對(duì)應(yīng)的電壓。
更新時(shí)間:2025-06-09
dcflex系列電流探頭在功率電子測(cè)量中經(jīng)濟(jì)實(shí)用，使用簡(jiǎn)單，性價(jià)比非常高。直流柔性探頭結(jié)構(gòu)：纖細(xì)、柔軟的感應(yīng)套環(huán)，讓您輕而易舉地與實(shí)際測(cè)量對(duì)象相連接。
更新時(shí)間:2025-06-09
力篩查是通過(guò)耳聲發(fā)射、自動(dòng)聽(tīng)性腦干反應(yīng)和聲阻抗等電生理學(xué)檢測(cè)，在受試者自然睡眠或安靜的狀態(tài)下進(jìn)行的客觀、快速和無(wú)創(chuàng)的檢查。 這個(gè)聞名于兩步篩查（oae/abr）的新版本聽(tīng)力篩查儀，具有快速、準(zhǔn)確、直觀的特點(diǎn)。作為世界上值得信賴的聽(tīng)篩產(chǎn)品之一，耳酷靈®為我們贏得了至高的聲譽(yù)。 顯著提高工作效率
更新時(shí)間:2025-06-09
美國(guó)lee粗糙度儀粗糙度儀rl100是美國(guó)lee公司新出的新一代粗糙度儀，也叫袖珍便攜式表面粗糙度儀。它具有測(cè)量精度高、測(cè)量范圍寬、操作簡(jiǎn)便、便于攜帶、工作穩(wěn)定等特點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用于各種金屬與非金屬的加工表面的檢測(cè)，該粗糙度儀是傳感器主機(jī)一體化的袖珍式粗糙度儀，具有手持式特點(diǎn)，更適宜在生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)使用。外形采用拉鋁模具設(shè)計(jì)，堅(jiān)固耐用，抗電磁干擾能力顯著，符合當(dāng)今設(shè)計(jì)新趨勢(shì)。
更新時(shí)間:2025-06-09
最新產(chǎn)品
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